武汉新芯与Spansion展开3D NAND技术合作

长江商报消息 本报讯（记者 熊子熙）昨日，武汉新芯集成电路制造有限公司宣布与美国Spansion公司展开3D NAND联合技术开发合作，并在武汉新芯公司举办了合作签约仪式。

3D NAND是业界公认的下一代大容量半导体闪存技术。该创新技术可充分利用现有成熟生产设备，通过在硅片表面垂直叠加几十个或更多的电荷存储层来提高单颗芯片的存储密度。

目前，双方在知识产权和技术研发等方面已经完成布局，预计投产后，武汉新芯将具备月产20万片的生产能力，可以很好地满足国内在大容量闪存存储器方面的需求。

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